TOKYO UNIVERSITY OF SCIENCE
KOBAYASHI LAB
Sputtering for Materials Innovation
About us
本研究室では、結晶成長によるマテリアルデザインを通じて、薄膜材料の機能融合に関する研究をおこなっています。 具体的には、半導体、超伝導体、強誘電体などの異種機能材料をナノスケールにまで薄膜化し互いに接合させることで、未来デバイス材料を創出することを目指しています。 特に、量子コンピュータ、量子情報通信、パワーエレクトロニクス、AI計算用新型半導体などの開発に繋がる薄膜材料の高品質化と高機能化に取り組んでいます。
News
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2025/8/7論文APL MaterialsにScAlN/GaN HEMTの2次元電子ガス濃度増大に関する論文（筆頭著者：太田さん（学部卒業生））が掲載され、Editor’s Pickに選ばれました。[論文リンク]
東京理科大学 プレスリリース -
2025/9/7-10学会発表
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2025/7/17-19学会発表利尻島で開催される 第17回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 で池田助教がポスター発表をしました。
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2025/7/6-12学会発表
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2025/6/27Topics小林准教授が研究代表者を務める課題が科研費・挑戦的研究（萌芽）に採択されました。
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2025/5/25Topics
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2025/5/1Topics池田助教が着任しました。
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2025/4/1Topics3期生のB4 8名が小林研に配属されました。
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2025/3/18Topics小林研2期生の7名が学位記授与式に参加し卒業しました。太田さんが先進工学部総代として学位記を授与されました。おめでとうございます！
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2025/3/14-17学会発表
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2025/2Topics小林准教授がISPlasma2025 Masaru Hori Prizeを受賞しました。
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2025/2/6論文Applied Physics LettersにScAlN/GaN HEMTのエピタキシャル成長に関する論文（筆頭著者：奥田さん（M1））が掲載されました。東京大学、住友電気工業との共同研究です。[論文リンク]
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2025/1/16-22Topics小林准教授がお茶の水女子大学で大学院集中講義「化学・生物化学特論」を行いました。
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2025/1/5論文Physica Status Solidi Aに遷移金属窒化物のスパッタエピタキシャル成長に関するレビュー論文が掲載されました。東京大学、三重大学、名古屋大学との共同研究です。
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2024/12Topics太田さん（B4）が東京理科大学こうよう会学生懸賞論文最優秀賞を受賞しました。
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2024/9/16学会発表奥田さん（M1）が第85回応用物理学会秋季学術講演会（朱鷺メッセ）で口頭発表を行いました。
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2024/9/16学会発表小林准教授がE-MRS Fall Meeting 2024 (Warsaw University of Technology, Poland)で招待講演を行いました。
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2024/8/11Topics2024年度 夏のオープンキャンパスに参加しました。
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2024/5/30-6/1奥田さん（M1）が 第16回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 でポスター発表をおこない、発表奨励賞を受賞しました。
講演題目「AlGaN/GaN HEMT構造上へのScAlN薄膜エピタキシャル成長」
東京理科大学 ニュース＆イベント -
2024/4/25学会発表小林准教授がOPIC LEDIA2024（パシフィコ横浜）で口頭発表を行いました。
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2024/4/1TopicsB4の7名が小林研に新しく配属されました！M1も4名進学しました。
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2024/3/18Topics小林研1期生の5名が学位記授与式に参加し卒業しました。おめでとうございます！
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2023/12/4論文Applied Physics ExpressにScAlNエピタキシャル薄膜の構造を機械学習で予測する論文が公開されました。名古屋大学、東京大学との共同研究です。
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2023/12/1Topics研究室Webページを公開しました。
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2023/11/22学会発表小林准教授が第4回半導体ナノフォトニクス研究会（上智大学）で特別招待講演を行いました。
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2023/11/12-17学会発表小林准教授が14 th International Conference on Nitride Semiconductors（ヒルトン福岡シーホーク）で2件の口頭発表を行いました。
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2023/9/8Topics小林准教授が研究代表者を務める課題が科研費・国際共同研究加速基金（海外連携研究）に採択されました。
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2023/4/1Topics小林准教授が東京理科大学先進工学部マテリアル創成工学科に着任しました。
Publication
Effect of growth temperature on the structural and electrical properties of sputter-epitaxial ScAlN on AlGaN/AlN/GaN heterostructures
S. Ota, T. Okuda, K. Kubota, Y. Wakamoto, T. Maeda, T. Kawahara, K. Makiyama, K. Nakata, A. Kobayashi
APL Materials 13, 081112 (2025).
DOI: 10.1063/5.0281540
Sputter epitaxy of ScAlN films on GaN high electron mobility transistor structures
T. Okuda, S. Ota, T. Kawahara, K. Makiyama, K. Nakata, T. Maeda, A. Kobayashi
Applied Physics Letters 126, 052105 (2025).
DOI: 10.1063/5.0228924
Sputter Epitaxy of Transition Metal Nitrides: Advances in Superconductors, Semiconductors, and Ferroelectrics
A. Kobayashi, T. Maeda, T. Akiyama, T. Kawamura, Y. Honda
Physica Status Solidi A , 2400896 (2025).
DOI: 10.1002/pssa.202400896
Structural characterization of epitaxial ScAlN films grown on GaN by low-temperature sputtering
A. Kobayashi, Y. Honda, T. Maeda, T. Okuda, K. Ueno, H. Fujioka
Applied Physics Express 17, 011002 (2024).
DOI: 10.35848/1882-0786/ad120b
Structural and optical properties of epitaxial ScxAl1-xN coherently grown on GaN bulk substrates by sputtering method
T. Maeda, Y. Wakamoto, S. Kaneki, H. Fujikura, A. Kobayashi
Applied Physics Letters 125, 022103 (2024).
DOI: 10.1063/5.0213662
Hole Conduction Mechanism in In–Mg-Codoped GaN Prepared via Pulsed Sputtering Deposition
A. Naito, K. Ueno, A. Kobayashi, H. Fujioka
Physica Status Solidi A, 2300848 (2024).
DOI: 10.1002/pssa.202300806
Temperature‐Dependent Characteristics of AlN/Al0.5Ga0.5N High Electron Mobility Transistors with Highly Degenerate n‐Type GaN Regrown Ohmic Contacts
R. Maeda, K. Ueno, A. Kobayashi, H. Fujioka
Physica Status Solidi A, 2300848 (2024).
DOI: 10.1002/pssa.202300848
Preparation of degenerate n-type AlxGa1-xN (0 < x ≤ 0.81) with record low resistivity by pulsed sputtering deposition
Y. Nishikawa, K. Ueno, A. Kobayashi, H. Fujioka
Applied Physics Letters 122, 232102 (2023).
DOI: 10.1063/5.0144418
Positive impurity size effect in degenerate Sn-doped GaN prepared by pulsed sputtering
Y. Nishikawa, K. Ueno, A. Kobayashi, H. Fujioka
Applied Physics Letters 122, 082102 (2023).
DOI: 10.1063/5.0118126
Electrical properties of N-polar Si-doped GaN prepared by pulsed sputtering
K. Ueno, Y. Masuda, A. Kobayashi, H. Fujioka
Applied Physics Express 16, 011002 (2023).
DOI: 10.35848/1882-0786/acb2b1
Epitaxial Junction of Inversion Symmetry Breaking AlN and Centrosymmetric NbN: A Polarity Control of Wide-Bandgap AlN
A. Kobayashi, S. Kihira, T. Akiyama, T. Kawamura, T. Maeda, K. Ueno, H. Fujioka
ACS Applied Electronic Materials 5, 240 (2023).
DOI: 10.1021/acsaelm.2c01288
