STT-MRAMなどの不揮発性メモリ(NVM)は，従来のDRAMに替わる次世代の高性能メモリとして注目されている．NVMの特性を活用したメモリ管理手法やアーキテクチャの研究が進められている一方，実際に製品化されているNVMは少ないため，評価にはサイクルレベルのシミュレータを用いることが一般的である．しかし従来のシミュレータは長い実行時間を要するため，大規模なアプリケーションやオペレーティングシステムを含む挙動をシミュレーションによって評価することを困難にしている．そこで筆者らは，より軽量なソフトウェアによるNVMのエミュレーション手法の研究を進めている．本論文では，既存の研究のエミュレーション方式を拡張し，Read/Writeレイテンシが異なる特性を持つNVMをエミュレーションする方式を提案する．提案手法をVMに適用した時のベンチマーク実行時間を実機上で評価し，指定したWriteレイテンシに応じてベンチマークの実行時間が増加することを確かめた．