LSIの消費電力を削減する方法として, Silicon on Thin Buried Oxide(SOTB)によるボディバイアス制御が効果的である.SOTB技術を用いて製造されたLSIは,電源電圧を0.5V程度まで抑えることができる.さらにボディバイアス制御によって製造後でもリーク電力と最大動作周波数のトレードオフを取ることができる.本研究ではOSから効率的に消費電力を削減するために, SOTB技術を用いたCPU"GC-SOTB"へ組み込みOSのTOPPERSを移植し、TOPPERSへボディバイアス制御機能を試作した. 新たに加えた制御機能によって, 動作状況に応じた動的なボディバイアス制御によって消費電力が削減できることを確認した.