省電力化半導体プロセス技術であるSilicon on Thin Buried Oxide(SOTB)は、消費電力の削減に効果的であることが報告されている。SOTBは製造後でもボディバイアス制御、および動作周波数制御により消費電力の削減が可能となっている。そのため、SOTBを用いたプロセッサを有効に使用するには動的なボディバイアス制御、動作周波数制御を可能にする環境が必要となる。本研究では、SOTBを用いたCPUである“GC-SOTB”およびアクセラレータである“CC-SOTB”を対象とし、これらプロセッサのための動的ボディバイアス制御、動作周波数制御を可能とした評価環境を実装し基礎的な評価を行った。また、SoCであるZynqを用いることで“GC-SOTB”、“CC-SOTB”を評価するための機能を実現した。