2025年第72回春季応用物理学会学術講演会（東京理科大学）でM1奥田さんとB4太田さんが口頭発表をします。

[17a-K401-4] アニール処理を施したScAlN/AlGaN/GaNヘテロ構造の特性
〇奥田 朋也¹、太田 隼輔²、久保田 航瑛³、前田 拓也^3,4、河原 孝彦⁵、牧山 剛三⁵、中田 健⁵、小林 篤^1,2
(¹理科大院先進工、²理科大先進工、³東大工、⁴東大院工、⁵住友電工)

[17a-K401-5] AlGaN/GaN上へのScAlN薄膜の低温エピタキシャル成長
〇太田 隼輔¹、奥田 朋也²、久保田 航瑛³、前田 拓也^3,4、河原 孝彦⁵、牧山 剛三⁵、中田 健⁵、小林 篤^1,2
(¹理科大先進工、²理科大院先進工、³東大工、⁴東大院工、⁵住友電工)

[17a-K401-6] X線分光測定によるGaN上スパッタ成長ScAlN薄膜の表面酸化状態の評価
〇佐々木 洸¹、棟方 晟啓¹、小林 正起¹、山本 涼太²、佐藤 早和紀²、小林 篤²、中野 義昭¹、前田 拓也¹
(¹東大、²東京理科大)

[17p-K301-6] スパッタ成長ScAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造における二次元電子ガスの輸送特性
〇久保田 航瑛¹、若本 裕介¹、河原 孝彦²、吉田 成輝²、牧山 剛三²、中田 健²、小林 篤³、前田 拓也¹
(¹東大、²住友電工、³東京理科大)