第86回秋季応用物理学会学術講演会で奥田さん、佐藤さん、加藤さん、菊池さんが口頭発表を行います。

[9p-N321-9] ScAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造の電気特性へのScAlN成長温度の影響
〇奥田 朋也¹、前田 拓也²、河原 孝彦³、牧山 剛三³、中田 健³、池田 和久¹、小林 篤¹
(¹理科大院先進工、²東大院工、³住友電工)

[9p-N321-10] スパッタ法でn型GaN上にエピタキシャル成長させたScAlNの強誘電性
〇佐藤 早和紀¹、若本 裕介²、前田 拓也²、舟窪 浩³、上野 耕平⁴、藤岡 洋⁴、池田 和久¹、小林 篤¹
(¹理科大院先進工、²東大院工、³科学大物院、⁴東大生研)

[9p-N321-16] 高温アニールしたAlN上への超伝導体NbNx薄膜の作製と評価
〇加藤 雄貴¹、原田 尚之²、三宅 秀人³、池田 和久¹、小林 篤¹
(¹理科大院先進工、²NIMS、³三重大院工)

[9p-N321-17] スパッタ法によるNbAlN薄膜のエピタキシャル成長
〇菊池 立貢¹、黒木 颯太²、河村 貴宏³、池田 和久^1,2、小林 篤^1,2
(¹理科大院先進工、²理科大先進工、³三重大院工)

[8p-N322-12] ScAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造における2DEGのShubnikov-de Haas振動
〇若本 裕介¹、久保田 航瑛¹、河原 孝彦²、吉田 成輝²、牧山 剛三²、中田 健²、小林 篤³、前田 拓也¹
(¹東大工、²住友電気工業株式会社、³東京理科大学)

[8p-N322-14] GaN/sapphire基板上スパッタ成長ScAlN薄膜の電気的特性
〇城谷 光亮¹、佐藤 早和紀²、小林 篤²、前田 拓也¹
(¹東大工、²東京理科大)