近年，LSI(Large Scale Integration)の微細化・高密度化に伴い，LSIの動作速度の高速化，大規模化が進んでいます． また，高密度実装技術により，小型で高性能な電子機器が増加しています．こうしたシステムの高速化が進む一方で， 電子機器設計においては高周波ノイズによる電磁干渉や電磁放射といったEMI (Electromagnetic Interference)の問題が 顕在化してきました．従来，ノイズ抑制対策としてコンデンサなどの部品が用いられていますが，抑制するノイズの周波数が 高くなるにつれ，部品での対策では限界が生じています．本研究では，電源・グラウンド(GND)層に，電磁バンドギャップ (Electromagnetic Band Gap : EBG)構造を導入し，伝導性電磁雑音の抑制方法について電磁界解析を用いて検討を行っています．